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艺炫电子科技——mos管

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，电子元器件批发，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，电子元器件厂家，或者PMOS指的就是这两种

比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，电子元器件***，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，元器件，一般都用NMOS。

艺炫电子科技——MOS管

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏

Mos损坏主要原因：  

过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；

过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；

静电----------静电穿。CMOS电路都怕静电；

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体，例如大多数金属，其电阻率的数量级是10-7～10-8Ω·m；对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等，他们的电阻率在1010和1014Ω·m之间。半导体的电阻率介于两者之间，但其变化之大（大约13个数量级），客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论，一方面可以解释电阻率的起源，一方面可以相对准确的定义半导体。

如何判断mos管工作状态，文中将会具体描述出来。mos管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的